氫氣(qì)在半導(dǎo)體行業中的應用 半導體制造技術作爲信息時代制造的基礎，堪比工業時代的機床，是整個社會發展的基石和原動力 。在産(chǎn)業分工格局重塑的關鍵時期，我國也提出瞭(le)《中國制造2025》，以通過智能制造實現由制造大國向制造強國的轉換。智能制造（工業4.0）的實現，以各種信息器件的使用爲基礎，半導體制造技術正是其制造的核心技術。
而氫氣作爲半導體制造中的氣源，在半導體材料及器件制備(bèi)中起到至關重要的作用。可在光電器件、傳(chuán)感器、IC制造中應用。
目前半導體工藝中氫氣主要用於(yú)退火 、外延生長(zhǎng)、幹法刻蝕等工藝。
退火是通過高溫加熱釋放材料内部應力從而改善材料質量的一種材料處理辦(bàn)法，氫氣作爲保護氣可以起到防止氧化等作用，多用於(yú)薄膜生長後釋放應力 。
氫氣也可以應用在化學氣相沉積（ChemicalVaporDepositon）薄膜生長。化學氣相沉積是一種利用固态-氣态反應、氣态-氣态反應生成薄膜的設備(bèi)，如在CVD工藝中作爲還原性氣體制備(bèi)二維材料MOS2、WS2等；等離子增強化學氣相沉積（PECVD）工藝中作爲還原性氣體制備(bèi)石墨烯、單晶矽、碳化矽等；電子回旋共振化學氣相沉積（ECR-CVD）中作爲反應氣體在單晶矽襯底上制備(bèi)金剛石薄膜；金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）設備(bèi)中作爲載氣制備(bèi)光電材料GaN、AlGaN等。同時氫氣也可以在原子層(céng)沉積（AtomicLayerDeposition）中使用。
氫氣在等離子體刻蝕（RIE/ICP）中作爲反應氣體出現，等離子體刻蝕原理是利用反應氣體離化後與材料發生反應生成揮發性物質，從(cóng)而實現材料圖形化，是半導體器件制備(bèi)的*工藝。
普拉勒氫氣發生器目前已大量應用在以上工藝中，爲半導(dǎo)體材料及器件制備(bèi)提供好的氣源。
更新時間：2020-04-22
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