半導體行業專用氮氣發生器(腔體保護氣，幹泵吹掃氣)NITROGEN-M-100/200採用膜分離技術，無須二次淨化，即可連續獲得潔淨、幹燥、無鄰苯二甲酸酯的氮氣，氮氣純度和流量穩定，使用壽命長。

半導體行業專用氮氣發生器(腔體保護氣，幹泵吹掃氣)

NITROGEN-M-100/200

Peculiar針(zhēn)對(duì)LC/MS 氮氣流量
、純度、壓力的特殊要求專門設計瞭(le)安全、高效、方便的專用於(yú)

PECULIAR(UK)INSTRUMENT     TECHNOLOGY     LIMITED 英國普拉勒科技有限公司LC/MS 氮氣發生器
，産(chǎn)生純(chún)度高達99.5%的潔淨、幹燥氮氣，符合半導體行業腔體保護氣，幹泵吹掃氣

要求，包含APCI及ESI接口。氮氣發(fā)生器採(cǎi)用膜分離技術，無須二次淨化，即可連續獲得潔淨、幹

燥、無鄰苯二甲酸酯的氮氣，氮氣純度和流量穩定，使用壽命長(zhǎng)。外置渦旋壓縮機提高瞭(le)空氣供應

的安全性，流速範圍從0-100L/min, 可同時爲一台或多台儀器供應氮氣(qì)。特殊機(jī)型可以定制，最

大流速範圍可以達到200 L/min。

主要技術參數 |

MAIN          TECHNICAL          PARAMETERS

◎流量：0-100/200L/min  @100psi(7bar)

◎工作環(huán)境：5C-40℃   濕度80%

◎使用最高海拔：2200m

◎露點(diǎn)：<-55℃

◎顆(kē)粒：<0.01μm

◎滞留液體：無

◎鄰苯二甲酸：無

◎噪聲(shēng)：<47dB(A)

◎開機(jī)純(chún)化時間：30min

◎功率：8000W

◎電力要求：220V 50Hz